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FR-Mic:全自動帶顯微鏡多點測量膜厚儀

簡要描述(shu):硬化涂層膜厚儀是一款快速、準(zhun)確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案(an),要求的光斑尺寸小到幾個微米,如微圖案(an)表面(mian)(mian),粗糙表面(mian)(mian)及許(xu)多其(qi)他表面(mian)(mian)。

  • 產品型(xing)號:
  • 廠商性(xing)質:代理商
  • 產品資料:
  • 更(geng)新時(shi)間:2024-03-19
  • 訪  問(wen)  量: 447

詳細介紹

硬化(hua)涂層(ceng)膜(mo)厚儀是一款快(kuai) 速、準(zhun)確測量薄膜(mo)表(biao)征應用的模(mo)塊(kuai)化(hua)解決(jue)方(fang)案,要求的光斑尺寸小到幾個微(wei)米,如微(wei)圖(tu)案表(biao)面,粗糙表(biao)面及許多(duo)其他表(biao)面。它可以配(pei)備一臺(tai)計算(suan)機控(kong) 制的XY工作臺(tai),使其快(kuai) 速、方(fang)便(bian)和(he)準(zhun)確地描繪樣品(pin)的厚度(du)和(he)光學(xue)特性圖(tu)。品(pin)牌屬于Thetametrisis。

Thetametrisis利用 FR-Mic,通過紫外(wai)/ 可見/ 近紅外(wai)可輕易對(dui)局部區域(yu)薄膜(mo)厚度,厚度映射,光(guang)學常數,反(fan)射率(lv),折射率(lv)及消光(guang)系數進行測量。

【相關應用】

1.高校 & 研究所實驗室

2.半導體制造

3.(氧(yang)化物/氮化物, 硅膜, 光刻膠及其他半導體薄膜.)

4.MEMS 器件(jian) (光刻(ke)膠, 硅膜等.)

5.LEDs, VCSELs

6.數據存儲

7.陽極處理

8.曲面(mian)基底的硬(ying)鍍(du)(du)及軟鍍(du)(du)

9.聚合物膜層, 粘(zhan)合劑

10.生物醫(yi)學(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡(pao)壁厚(hou)度.)

11.還有許多(duo)…

Thetametrisis膜厚儀特點】

1、實時光譜測量

2、薄膜厚(hou)度(du)(du),光學特性(xing),非均勻性(xing)測量, 厚(hou)度(du)(du)映射

3、使用(yong)集成的(de),USB連接高品質(zhi)彩(cai)色(se)攝像機進行成像



Thetametrisis膜厚儀產品優勢】

1、單擊(ji)即可分(fen)析(xi) (無需初始預(yu)測(ce))

2、動態測量

3、包含光(guang)學參(can)數 (n & k, color)

4、可保(bao)存測量演示(shi)視(shi)頻(pin)錄像(xiang)

5、超(chao)過 600 種不同材(cai)料o 多(duo)個離線(xian)分析配(pei)套裝置o 免費(fei)操作(zuo)軟件(jian)升級

【技術參數】

*測量面(mian)積(收集反射(she)或透射(she)信號的(de)面(mian)積)與顯(xian)微鏡物鏡和 FR-uProbe 的(de)孔徑(jing)大小有關(guan)

型號

UV/VIS

UV/NIR-EXT

UV/NIR-HR

DUV/NIR

VIS/NIR

DVIS/NIR

NIR

光譜(pu)波長(chang)范(fan)圍(nm)

200–850

200–1020

200-1100

200–1700

370–1020

370–1700

900–1700

光譜儀像素

3648

3648

3648

3648&512

3648

3648&512

512




膜厚測量范圍

5X-VIS/NIR

15nm–60μm

15nm–70μm

15nm–90μm

15nm–150μm

15nm–90μm

15nm–150μm

100nm–150μm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm–50μm

4nm–60μm

4nm–80μm

4nm–130μm

15nm–80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X-UV/NIR*

4nm–40μm

4nm–50μm

4nm–50μm

4nm–120μm

20X-VIS/NIR

20X-UV/NIR*

4nm–25μm

4nm–30μm

4nm–30μm

4nm–50μm

15nm–30μm

15nm–50μm

100nm–50μm

40X-UV/NIR*

4nm–4μm

4nm–4μm

4nm–5μm

4nm–6μm

50X-VIS/NIR

15nm–5μm

15nm–5μm

100nm–5μm

測量n&k蕞小厚度

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

光源

氘燈(deng)&鹵(lu)素燈(deng)(internal)

鹵素燈(internal)

材料數據庫

>600不同材料








物鏡

光斑尺寸(μm)


500μm孔徑

250μm孔徑

100μm孔徑

5x

100μm

50μm

20μm

10x

50μm

25μm

10μm

20x

25μm

17μm

5μm

50x

10μm

5μm

2μm














【工作原理】


*規格如有更改,恕(shu)不(bu)另行通知, 測(ce)量(liang)結果與校準的(de)(de)光(guang)譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xu) 15 天測(ce)量(liang)的(de)(de)標準方差(cha)(cha)平(ping)均值。樣品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度測(ce)量(liang)的(de)(de)標準方差(cha)(cha),樣品:1um SiO2 on Si.

*超(chao)過(guo) 15 天的標(biao)準(zhun)偏(pian)差日平均值樣(yang)品:1um SiO2 on Si。

以上資料來自Thetametrisis,如果有需要(yao)更加詳細的信息,請聯系我們獲取。







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