列真株(zhu)式會社(she)自創業以(yi)來，秉承“挑(tiao)戰"、“創造(zao)"、“誠實"的經營理念，為顧(gu)客(ke)提供可(ke)靠(kao)、可(ke)信的產品和服務(wu)。運(yun)用激光掃(sao)描技術(shu)(shu)，專(zhuan)門制造(zao)、銷(xiao)售(shou)半(ban)導體(ti)(ti)材料表面及(ji)內(nei)部檢(jian)(jian)查、石英玻(bo)璃表面檢(jian)(jian)查等檢(jian)(jian)查裝置。其激光檢(jian)(jian)測(ce)技術(shu)(shu)可(ke)同時收(shou)集激光的反射光，透射光以(yi)及(ji)共聚焦，可(ke)一次性檢(jian)(jian)查第三代半(ban)導體(ti)(ti)SIC等材料表面，背面和內(nei)部的缺(que)(que)陷，可(ke)探測(ce)最小缺(que)(que)陷為100納(na)米(mi)，主要用于半(ban)導體(ti)(ti)光罩、LCD大型光罩的石英玻(bo)璃表面、內(nei)部、背面的缺(que)(que)陷檢(jian)(jian)查

特征：

• SiC單晶晶圓和EPI晶圓都(dou)可(ke)以檢查。

• 不僅是(shi)表面缺陷，內部缺陷和背面缺陷也同時檢(jian)查。

• 有助于缺陷(xian)分析的(de)4種Review圖(tu)像。

• “AI Classify"進行缺陷分類、好壞判定。

• 免維護。

• 世界FIRST用反射(she)(she)(she)散(san)射(she)(she)(she)光、透射(she)(she)(she)散(san)射(she)(she)(she)光、共聚焦(jiao)光的(de)混合檢查(cha)裝置。

• 能檢(jian)出(chu)(chu)至今為止檢(jian)查不出(chu)(chu)的缺陷。

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規格：

• 檢查激光：405nm 200mW

• 檢查時間(jian)：200sec（尺寸(cun)：4英寸(cun)）

• 檢查(cha)對象：2英(ying)寸、3英(ying)寸、4英(ying)寸、6英(ying)寸

• 設(she)備尺寸：WxDxH＝450x500x730mm

• 使用(yong)電源：AC100V~200V 10A

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應(ying)用:

SiC、GaN

半導體光罩(zhao)（石英(ying)玻(bo)璃與涂層）

石英Wafer   Si Wafer

HDD Disk LT Wafer

藍寶石襯底

EUV光(guang)罩

光罩防塵膜(mo)

可全面檢測表面、內部、背面的缺陷。

檢出缺(que)陷：顆粒、劃痕、結(jie)晶缺(que)陷。

外延(yan)缺陷                         襯底缺陷      

胡蘿卜型缺陷                  六方空洞(dong)缺(que)陷

慧星缺陷                         層錯缺陷

三角缺陷                         微管缺陷(xian)

邊緣缺陷