EVG810 LT 低溫等離子活化系統用于SOI，MEMS，化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫等離子體活化系統

一、簡介

EVG810 LT （LowTemp™）低溫等離子活化系統是(shi)一(yi)個(ge)獨立單(dan)腔室(shi)系(xi)統，具有手動操作功能(neng)。 處理(li)室(shi)允許非原位(wei)處理(li)（晶片一(yi)個(ge)接一(yi)個(ge)地激活(huo)并且鍵合在(zai)等離子體活(huo)化室(shi)外部）。

二、特征

用(yong)于(yu)低溫鍵合(he)的(de)表面等離子體(ti)活化（熔合(he)/分(fen)子和中(zhong)間層鍵合(he)）

任何(he)晶圓鍵(jian)合機制的快動(dong)力學

無需濕法工藝

低(di)溫退火(huo)時(shi)的(de)高鍵合(he)強(qiang)度（z高400°C）

適用(yong)于SOI，MEMS，化合(he)物半(ban)導體和先進封(feng)裝

高度的材料(liao)兼容性(xing)（包括CMOS）

三、EVG810 LT 低溫等離子活化系統參數

1.晶圓尺寸(cun)：50-200mm，100-300mm

2.低溫等離子(zi)活(huo)化(hua)腔(qiang)：

工藝(yi)氣體(ti)：2種(zhong)標(biao)準工藝(yi)氣體(ti)（N2和O2）

通用大(da)流(liu)量控制(zhi)器：自校準(zhun)（高達20.000 sccm）

真空系統：0.09 mbar

打開/關閉腔(qiang)室：自動(dong)化

裝(zhuang)載(zai)/卸載(zai)腔室：手動（晶(jing)圓/基板放(fang)置在裝(zhuang)載(zai)銷上）

3.備選功能：

用(yong)于不同的(de)(de)晶圓(yuan)尺寸的(de)(de)夾頭

金屬離子激活

帶有氣體混合的附加工藝氣體

帶渦輪泵的(de)高(gao)真空系統(tong)：0.009 mbar的(de)基礎氣(qi)壓