美國(guo)FSM 薄膜(mo)(mo)應(ying)(ying)力(li)(li)及基底翹曲(qu)測試設備:在襯(chen)底鍍上不(bu)同的(de)(de)(de)薄膜(mo)(mo)后, 因為兩者材(cai)質不(bu)一(yi)樣,以及不(bu)同的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)不(bu)同溫度下特性(xing)不(bu)一(yi)樣, 所以會(hui)引起應(ying)(ying)力(li)(li)。 如應(ying)(ying)力(li)(li)太大(da)會(hui)引起薄膜(mo)(mo)脫落, 引致(zhi)組件失效或可靠性(xing)不(bu)佳的(de)(de)(de)問題。 薄膜(mo)(mo)應(ying)(ying)力(li)(li)激(ji)光測量(liang)儀利用(yong)激(ji)光測量(liang)樣本的(de)(de)(de)形貌(mao),透過比較鍍膜(mo)(mo)前(qian)后襯(chen)底曲(qu)率(lv)半徑(jing)的(de)(de)(de)變(bian)化, 以Stoney’s Equation計算出應(ying)(ying)力(li)(li), 是品(pin)檢及改進工(gong)藝的(de)(de)(de)有(you)/效手段。
美國(guo)FSM 高(gao)溫(wen)薄膜應(ying)力及基(ji)底(di)翹曲測試(shi)設備:美國(guo)FSM成立(li)于1988年,總(zong)部位于圣何塞,多(duo)年來(lai)為半導體行業(ye)(ye)等高(gao)新行業(ye)(ye)提供各(ge)式(shi)精密的測量設備。