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簡要描述:7AF-HMG研(yan)(yan)(yan)磨機(ji)具有(you)實時(shi)過程監控及雙(shuang)探(tan)頭(tou)監測功能,研(yan)(yan)(yan)磨SiC會產生熱量,從(cong)而(er)導致研(yan)(yan)(yan)磨機(ji)熱膨脹,使用(yong)單個探(tan)針,研(yan)(yan)(yan)磨的(de)前幾(ji)塊晶圓的(de)厚(hou)度讀數將不準確,通常(chang)會導致研(yan)(yan)(yan)磨不足,使用(yong)雙(shuang)探(tan)針可(ke)防止研(yan)(yan)(yan)磨不足,一個探(tan)針參(can)考(kao)晶圓,另(ling)一個探(tan)針則參(can)考(kao)工作卡(ka)盤,這消除了優(you)于熱膨脹引(yin)起的(de)誤差
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7AF-HMG研磨機特點:
雙探頭檢測:
研(yan)(yan)磨(mo)SiC會產生熱量,從而導致研(yan)(yan)磨(mo)機熱膨脹,使用單個探(tan)針(zhen),研(yan)(yan)磨(mo)的前(qian)幾塊晶(jing)圓的厚度讀數將不(bu)準確,通常會導致研(yan)(yan)磨(mo)不(bu)足,使用雙探(tan)針(zhen)可防(fang)止(zhi)研(yan)(yan)磨(mo)不(bu)足,一(yi)(yi)個探(tan)針(zhen)參考晶(jing)圓,另一(yi)(yi)個探(tan)針(zhen)則參考工作卡盤,這消除了優于熱膨脹引起的誤(wu)差(cha)
實時過程監控:
應用(yong):
基質研磨
·在晶圓(yuan)制造過程的早(zao)期發(fa)生,
·用線鋸或K-cut切割
·漿料(liao)去(qu)除通常在10微米
·后(hou)續晶(jing)圓制造操作為(wei)表面(mian)
·用6EZ拋光
背面研磨
·在晶圓的一側制造器件后(hou)發生
·起(qi)始面通常(chang)具有較低的TTV
·漿料去除通常(chang)在100微米
其他應用程序
·線鋸(ju)基材的背面(mian)減薄和整體(ti)減薄
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