6EZ-SIC拋光機

簡要描述：Revasum擁(yong)有多年研磨和(he)拋(pao)光超(chao)硬材(cai)料（如SiC）的(de)(de)(de)經(jing)驗，6EZ SiC拋(pao)光機是市場上僅有的(de)(de)(de)一(yi)款專門為拋(pao)光SiC基片而設計的(de)(de)(de)SiC CMP工具，競(jing)爭對手的(de)(de)(de)拋(pao)光機基本上是為拋(pao)光硅集(ji)成電路而設計的(de)(de)(de)，這有一(yi)套(tao)非常(chang)不同的(de)(de)(de)要(yao)求，6EZ與(yu)其(qi)競(jing)爭對手之間最(zui)重要(yao)的(de)(de)(de)區別在于晶圓載(zai)具的(de)(de)(de)設計

產品(pin)型(xing)號：
廠商性質：代理商
產品資料(liao)：
更(geng)新時間：2024-03-19
訪問(wen) 量： 652

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詳細介紹

6EZ晶圓載具設計的優勢：

·Revasum擁有(you)多年(nian)研(yan)磨和拋光超硬材料（如SiC）的經驗

·6EZ SiC拋光(guang)機是(shi)市場上僅有的(de)一款(kuan)專門(men)為(wei)拋光(guang)SiC基(ji)片而設計(ji)的(de)SiC CMP工(gong)具

·競爭對手的(de)拋光(guang)機基本上是為拋光(guang)硅集成電路而設計的(de)，這有一套非常不(bu)同的(de)要求(qiu)

·6EZ與(yu)其競爭對手之間最重要的(de)區別在(zai)于晶圓(yuan)載具的(de)設計

布局和功能：

綜合清潔站

·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學品

·高壓(ya)噴(pen)淋棒（10psi）

晶圓翻轉

·濕式機器人實現雙面(mian)拋光

濕式轉運站

·DIW和化學沖洗

三臺200rpm拋光臺，帶拋光臺和拋光墊冷卻（5oC）

·專用載體、護墊調節劑和(he)護墊清潔劑

·兩(liang)種漿料的流量控制器

·每張桌(zhuo)上的化學清潔劑（第三種漿料(liao)可選）

漿料分配臂

調節臂和盤片

優化晶圓載體

·基于經(jing)驗證(zheng)的(de)ViPRR技術的(de)設(she)計

晶圓處理

·全自動C2C晶圓

·邊緣抓握干式機器人搬運

·最多50片(pian)晶圓，無需操作員干(gan)預

晶圓載體對照表

項目	6EZ(板＋萬向節)	競爭對手(薄膜)	影響
晶圓載體設計	板+萬向節設計(適用于SiC)	基于膜的設計(適用于硅薄膜)	6EZ從頭開始為SiC設計
拋光下壓力	更高的"拋光下壓力"(設計強勁，無RR力)	較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱，RR力降低拋光力)	MRR
可靠性	穩健設計，可靠性高	膜可能會意外失效（破裂）	正常運行時間，成本（膜成本高）
扣環設計	扣環不接觸拋光墊；沒有晶圓溢出	扣環上的下壓力較大(需要保持晶圓)
下壓力	更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓)	較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半)	MRR
扣環磨損	襯墊上最小的RR磨損可延長實用壽命	高RR磨損率降低使用壽命	正常運行時間，成本
襯墊磨損	延長極板壽命	RR摩擦縮短襯墊壽命	正常運行時間，成本
襯墊調節	所需的襯墊調節時間更短	需要更多的襯墊調節時間	正常運行時間，成本
熱量產生	扣環摩擦不會產生熱量	必須清除擋圈摩擦產生的熱量	薄膜設計具有更高的襯墊過熱風險(工藝風險)
區域控制	晶圓上的2個區域，可調節	晶圓上的2個區域，可調節